单MOSFET晶体管 / APT5024BLLG

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型号： APT5024BLLG
厂商： Microchip Technology
类别：单MOSFET晶体管
封装： TO-247-3
描述： MOSFET FG, MOSFET,500V, TO-247, RoHSView in Development Tools Selector
库存地点：内地
库存： 74
货期： 1 - 3 个工作日

个

总额￥ 48.20084

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包装流程

1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输

产品属性产品问答

属性参考值
生命周期状态：Production (Last Updated: 1 month ago)
包装/外壳：TO-247-3
底架：通孔
安装类型：通孔
表面安装：NO
供应商器件包装：TO-247 [B]
终端数量：3
晶体管元件材料：SILICON
RoHS：Details
Mounting Styles：通孔
Transistor Polarity：N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage：500 V
Id - Continuous Drain Current：22 A
Rds On - Drain-Source Resistance：240 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage：- 30 V, + 30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage：3 V
Qg - Gate Charge：43 nC
Minimum Operating Temperature：- 55 C
Maximum Operating Temperature：+ 150 C
Pd - Power Dissipation：265 W
Channel Mode：Enhancement
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：1
Unit Weight：0.211644 oz
Number of Elements：1
Voltage Rating (DC)：500 V
Turn Off Delay Time：18 ns
Package：Tube
Base Product Number：APT5024
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：22A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
厂商：微芯片技术
Power Dissipation (Max)：265W (Tc)
Product Status：活跃
Package Description：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Package Style：FLANGE MOUNT
Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)：未说明
Rohs Code：有
Manufacturer Part Number：APT5024BLLG
Package Shape：RECTANGULAR
Part Life Cycle Code：活跃
Ihs Manufacturer：MICROSEMI CORP
Risk Rank：5.09
Part Package Code：TO-247AD
Drain Current-Max (ID)：22 A
包装：Tube
操作温度：-55°C ~ 150°C (TJ)
系列：POWER MOS 7®
JESD-609代码：e1
端子表面处理：锡银铜
最高工作温度：150 °C
最小工作温度：-55 °C
最大功率耗散：265 W
端子位置：SINGLE
终端形式：THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
Reach合规守则：compliant
额定电流：22 A
引脚数量：3
JESD-30代码：R-PSFM-T3
配置：Single
通道数量：1 Channel
操作模式：增强型MOSFET
功率耗散：265 W
箱体转运：DRAIN
接通延迟时间：8 ns
场效应管类型：N-Channel
晶体管应用：SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs：240mOhm @ 11A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1900 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：43 nC @ 10 V
上升时间：6 ns
漏源电压 (Vdss)：500 V
Vgs（最大值）：±30V
极性/通道类型：N-CHANNEL
连续放电电流(ID)：22 A
JEDEC-95代码：TO-247AD
栅极至源极电压(Vgs)：30 V
漏极-源极导通最大电阻：0.24 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)：88 A
输入电容：1.9 nF
DS 击穿电压-最小值：500 V
雪崩能量等级（Eas）：960 mJ
场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性：-
最大rds：240 mΩ
辐射硬化：无
无铅：无铅