单MOSFET晶体管 / APT22F80B

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型号： APT22F80B
厂商： Microchip Technology
类别：单MOSFET晶体管
封装： TO-247-3
描述： MOSFET FG, FREDFET, 800V, TO-247View in Development Tools Selector
库存地点：内地
库存： 5
货期： 1 - 3 个工作日

个

总额￥ 0.00000

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包装流程

1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输

产品属性产品问答

属性参考值
生命周期状态：Production (Last Updated: 2 months ago)
包装/外壳：TO-247-3
安装类型：通孔
底架：通孔
供应商器件包装：TO-247 [B]
质量：38.000013 g
RoHS：Details
Mounting Styles：通孔
Transistor Polarity：N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage：800 V
Id - Continuous Drain Current：23 A
Rds On - Drain-Source Resistance：400 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage：- 30 V, + 30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage：4 V
Qg - Gate Charge：150 nC
Minimum Operating Temperature：- 55 C
Maximum Operating Temperature：+ 150 C
Pd - Power Dissipation：625 W
Channel Mode：Enhancement
Tradename：Power MOS 8
Fall Time：33 ns
Forward Transconductance - Min：21 S
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：1
Typical Turn-Off Delay Time：115 ns
Typical Turn-On Delay Time：26 ns
Unit Weight：0.211644 oz
Package：Tube
Base Product Number：APT22F80
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：23A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
厂商：微芯片技术
Power Dissipation (Max)：625W (Tc)
Product Status：活跃
Number of Elements：1
Voltage Rating (DC)：800 V
Turn Off Delay Time：115 ns
包装：Tube
操作温度：-55°C ~ 150°C (TJ)
系列：-
最高工作温度：150 °C
最小工作温度：-55 °C
最大功率耗散：625 W
额定电流：22 A
通道数量：1 Channel
功率耗散：625 W
接通延迟时间：26 ns
场效应管类型：N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs：500mOhm @ 12A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds：4595 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：150 nC @ 10 V
上升时间：38 ns
漏源电压 (Vdss)：800 V
Vgs（最大值）：±30V
连续放电电流(ID)：23 A
栅极至源极电压(Vgs)：30 V
输入电容：4.595 nF
场效应管特性：-
漏源电阻：400 mΩ
最大rds：500 mΩ
高度：5.31 mm
长度：21.46 mm
宽度：16.26 mm
辐射硬化：无
无铅：无铅