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单MOSFET晶体管 / IXFJ13N50
- 价格 起订量
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- 型号： IXFJ13N50
- 厂商： IXYS
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-268-3
- 描述： MOSFET 13 Amps 500V 0.4 Rds
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 包装/外壳：TO-268-3
- 表面安装：NO
- 终端数量：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- RoHS：Details
- Mounting Styles：通孔
- Transistor Polarity：N-Channel
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage：500 V
- Id - Continuous Drain Current：13 A
- Rds On - Drain-Source Resistance：400 mOhms
- Vgs - Gate-Source Voltage：- 20 V, + 20 V
- Minimum Operating Temperature：- 55 C
- Maximum Operating Temperature：+ 150 C
- Pd - Power Dissipation：180 W
- Channel Mode：Enhancement
- Tradename：HyperFET
- Fall Time：32 ns
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：30
- Typical Turn-Off Delay Time：76 ns
- Typical Turn-On Delay Time：18 ns
- Unit Weight：0.229281 oz
- Package Description：I3PAK-3
- Package Style：IN-LINE
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Reflow Temperature-Max (s)：未说明
- Operating Temperature-Max：150 °C
- Rohs Code：有
- Manufacturer Part Number：IXFJ13N50
- Package Shape：RECTANGULAR
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：Transferred
- Ihs Manufacturer：IXYS CORP
- Risk Rank：5.76
- Part Package Code：TO-268AA
- Drain Current-Max (ID)：13 A
- 系列：IXFJ13N50
- 包装：Tube
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：有
- 端子表面处理：Matte Tin (Sn)
- 附加功能：雪崩 额定
- 端子位置：SINGLE
- 终端形式：THROUGH-HOLE
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- Reach合规守则：compliant
- 引脚数量：4
- JESD-30代码：R-PSIP-T3
- 资历状况：不合格
- 配置：Single
- 通道数量：1 Channel
- 操作模式：增强型MOSFET
- 箱体转运：DRAIN
- 晶体管应用：SWITCHING
- 上升时间：27 ns
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 晶体管类型：1 N-Channel
- JEDEC-95代码：TO-268AA
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：13 A
- 漏极-源极导通最大电阻：0.4 Ω
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：52 A
- DS 击穿电压-最小值：500 V
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 最大耗散功率(Abs)：180 W
- 高度：5.1 mm
- 长度：16.05 mm
- 宽度：14 mm
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