单MOSFET晶体管 / IXFT30N40Q

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型号： IXFT30N40Q
厂商： IXYS
类别：单MOSFET晶体管
封装： TO-268-3
描述： MOSFET 30 Amps 400V 0.16 Rds
库存地点：内地
库存： 12
货期： 1 - 3 个工作日

个

总额￥ 0.00000

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包装流程

1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输

产品属性产品问答

属性参考值
包装/外壳：TO-268-3
底架：表面贴装
表面安装：YES
终端数量：2
晶体管元件材料：SILICON
Mounting Styles：SMD/SMT
Transistor Polarity：N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage：400 V
Id - Continuous Drain Current：30 A
Rds On - Drain-Source Resistance：160 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage：- 20 V, + 20 V
Minimum Operating Temperature：- 55 C
Maximum Operating Temperature：+ 150 C
Pd - Power Dissipation：300 W
Channel Mode：Enhancement
Tradename：HyperFET
Fall Time：12 ns
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：30
Typical Turn-Off Delay Time：51 ns
Typical Turn-On Delay Time：25 ns
Unit Weight：0.158733 oz
RoHS：Compliant
Turn Off Delay Time：51 ns
Package Description：TO-268, 3 PIN
Package Style：小概要
Moisture Sensitivity Levels：1
Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)：未说明
Rohs Code：有
Manufacturer Part Number：IXFT30N40Q
Package Shape：RECTANGULAR
Number of Elements：1
Part Life Cycle Code：Transferred
Ihs Manufacturer：IXYS CORP
Risk Rank：5.71
Part Package Code：TO-268
Drain Current-Max (ID)：30 A
系列：IXFT30N40
包装：Tube
JESD-609代码：e3
无铅代码：有
端子表面处理：Matte Tin (Sn)
最高工作温度：150 °C
最小工作温度：-55 °C
附加功能：雪崩额定
最大功率耗散：300 W
端子位置：SINGLE
终端形式：鸥翼
峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
Reach合规守则：not_compliant
引脚数量：4
JESD-30代码：R-PSSO-G2
资历状况：不合格
配置：Single
通道数量：1 Channel
元素配置：Single
操作模式：增强型MOSFET
功率耗散：300 W
箱体转运：DRAIN
晶体管应用：SWITCHING
上升时间：35 ns
漏源电压 (Vdss)：400 V
极性/通道类型：N-CHANNEL
晶体管类型：1 N-Channel
连续放电电流(ID)：30 A
JEDEC-95代码：TO-268
栅极至源极电压(Vgs)：20 V
漏极-源极导通最大电阻：0.16 Ω
漏源击穿电压：400 V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)：120 A
输入电容：3.3 nF
DS 击穿电压-最小值：400 V
雪崩能量等级（Eas）：1.5 mJ
场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
漏源电阻：160 mΩ
最大rds：160 mΩ
高度：5.1 mm
长度：16.05 mm
宽度：14 mm