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单MOSFET晶体管 / APT42F50B
- 价格 起订量
- ￥ 48.28918 1+
- ￥ 45.55583 10+
- ￥ 42.97720 100+
- ￥ 40.54452 500+
- ￥ 38.24955 1000+
- 型号： APT42F50B
- 厂商： Microchip Technology
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-247-3
- 描述： MOSFET FG, FREDFET, 500V, TO-247View in Development Tools Selector
- 库存地点： 内地
- 库存： 140
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 48.28918
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 包装/外壳：TO-247-3
- 安装类型：通孔
- 供应商器件包装：TO-247 [B]
- RoHS：Details
- Mounting Styles：通孔
- Transistor Polarity：N-Channel
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage：500 V
- Id - Continuous Drain Current：42 A
- Rds On - Drain-Source Resistance：110 mOhms
- Vgs - Gate-Source Voltage：- 30 V, + 30 V
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage：4 V
- Qg - Gate Charge：170 nC
- Minimum Operating Temperature：- 55 C
- Maximum Operating Temperature：+ 150 C
- Pd - Power Dissipation：625 W
- Channel Mode：Enhancement
- Tradename：Power MOS 8
- Forward Transconductance - Min：32 S
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：1
- Typical Turn-Off Delay Time：80 ns
- Typical Turn-On Delay Time：29 ns
- Unit Weight：0.211644 oz
- Package：Tube
- Base Product Number：APT42F50
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：42A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- 厂商：微芯片技术
- Power Dissipation (Max)：625W (Tc)
- Product Status：活跃
- 包装：Tube
- 操作温度：-55°C ~ 150°C (TJ)
- 系列：POWER MOS 8™
- 配置：Single
- 通道数量：1 Channel
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：130mOhm @ 21A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 1mA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：6810 pF @ 25 V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：170 nC @ 10 V
- 上升时间：35 ns
- 漏源电压 (Vdss)：500 V
- Vgs（最大值）：±30V
- 场效应管特性：-
- 高度：5.31 mm
- 长度：21.46 mm
- 宽度：16.26 mm
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