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单MOSFET晶体管 / APT34N80LC3G
- 价格 起订量
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- 型号： APT34N80LC3G
- 厂商： Microchip Technology
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-264-3
- 描述： MOSFET FG, MOSFET, 800V, 34A, TO-264, RoHSView in Development Tools Selector
- 库存地点： 内地
- 库存： 1000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 包装/外壳：TO-264-3
- 安装类型：通孔
- 表面安装：NO
- 供应商器件包装：TO-264 [L]
- 终端数量：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- RoHS：Details
- Mounting Styles：通孔
- Transistor Polarity：N-Channel
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage：800 V
- Id - Continuous Drain Current：34 A
- Rds On - Drain-Source Resistance：125 mOhms
- Vgs - Gate-Source Voltage：- 20 V, + 20 V
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage：3 V
- Qg - Gate Charge：180 nC
- Minimum Operating Temperature：- 55 C
- Maximum Operating Temperature：+ 150 C
- Pd - Power Dissipation：417 W
- Channel Mode：Enhancement
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：1
- Typical Turn-Off Delay Time：70 ns
- Typical Turn-On Delay Time：25 ns
- Unit Weight：0.352740 oz
- Package：Tube
- Base Product Number：APT34N80
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：34A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- 厂商：微芯片技术
- Power Dissipation (Max)：417W (Tc)
- Product Status：活跃
- Package Description：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
- Package Style：FLANGE MOUNT
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Reflow Temperature-Max (s)：未说明
- Operating Temperature-Max：150 °C
- Rohs Code：有
- Manufacturer Part Number：APT34N80LC3G
- Package Shape：RECTANGULAR
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：活跃
- Ihs Manufacturer：MICROSEMI CORP
- Risk Rank：5.16
- Part Package Code：TO-264AA
- Drain Current-Max (ID)：34 A
- 包装：Tube
- 操作温度：-55°C ~ 150°C (TJ)
- 系列：-
- JESD-609代码：e1
- 无铅代码：有
- 端子表面处理：锡银铜
- 附加功能：雪崩 额定
- 端子位置：SINGLE
- 终端形式：THROUGH-HOLE
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- Reach合规守则：compliant
- 引脚数量：3
- JESD-30代码：R-PSFM-T3
- 资历状况：不合格
- 配置：Single
- 通道数量：1 Channel
- 操作模式：增强型MOSFET
- 箱体转运：DRAIN
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：145mOhm @ 22A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.9V @ 2mA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：4510 pF @ 25 V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：355 nC @ 10 V
- 上升时间：15 ns
- 漏源电压 (Vdss)：800 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- JEDEC-95代码：TO-264AA
- 漏极-源极导通最大电阻：0.145 Ω
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：102 A
- DS 击穿电压-最小值：800 V
- 雪崩能量等级（Eas）：670 mJ
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 场效应管特性：-
- 高度：5.21 mm
- 长度：26.49 mm
- 宽度：20.5 mm
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