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单MOSFET晶体管 / IRF7702PBF
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- 型号： IRF7702PBF
- 厂商： International Rectifier
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装：
- 描述： Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 12V, 0.014ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-153AA, LEAD FREE, TSSOP-8
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 表面安装：YES
- 终端数量：8
- 晶体管元件材料：SILICON
- Package Description：LEAD FREE, TSSOP-8
- Package Style：小概要
- Moisture Sensitivity Levels：2
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Reflow Temperature-Max (s)：30
- Operating Temperature-Max：150 °C
- Rohs Code：有
- Manufacturer Part Number：IRF7702PBF
- Package Shape：RECTANGULAR
- Manufacturer：International Rectifier
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：Obsolete
- Ihs Manufacturer：INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
- Risk Rank：8.51
- Part Package Code：TSSOP
- Drain Current-Max (ID)：8 A
- JESD-609代码：e3
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Matte Tin (Sn)
- 附加功能：HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
- 子类别：其他晶体管
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- Reach合规守则：unknown
- 引脚数量：8
- JESD-30代码：R-PDSO-G8
- 资历状况：不合格
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 晶体管应用：SWITCHING
- 极性/通道类型：P-CHANNEL
- JEDEC-95代码：MO-153AA
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：8 A
- 漏极-源极导通最大电阻：0.014 Ω
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：70 A
- DS 击穿电压-最小值：12 V
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 最大耗散功率(Abs)：1.5 W
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