简体中文
图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / TK2P90E,RQ
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
- ￥ 0 10+
- ￥ 0 100+
- ￥ 0 500+
- ￥ 0 1000+
- 型号： TK2P90E,RQ
- 厂商： Toshiba Semiconductor and Storage
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 描述： PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
- 库存地点： 内地
- 库存： 2030
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 供应商器件包装：DPAK
- 厂商：东芝半导体与存储
- Package：Tape & Reel (TR)
- Product Status：活跃
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：2A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Power Dissipation (Max)：80W (Tc)
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage：900 V
- Typical Turn-On Delay Time：50 ns
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage：2.5 V
- Pd - Power Dissipation：80 W
- Transistor Polarity：N-Channel
- Maximum Operating Temperature：+ 150 C
- Vgs - Gate-Source Voltage：- 30 V, + 30 V
- Unit Weight：0.012699 oz
- Minimum Operating Temperature：- 55 C
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：2000
- Mounting Styles：SMD/SMT
- Channel Mode：Enhancement
- Manufacturer：Toshiba
- Brand：Toshiba
- Qg - Gate Charge：12 nC
- Tradename：MOSVIII
- Rds On - Drain-Source Resistance：5.9 Ohms
- RoHS：Details
- Typical Turn-Off Delay Time：70 ns
- Id - Continuous Drain Current：2 A
- 系列：-
- 操作温度：150°C
- 包装：MouseReel
- 子类别：MOSFETs
- 配置：Single
- 通道数量：1 Channel
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：5.9Ohm @ 1A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 200μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：500 pF @ 25 V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：12 nC @ 10 V
- 上升时间：25 ns
- 漏源电压 (Vdss)：900 V
- Vgs（最大值）：±30V
- 产品类别：MOSFET
- 晶体管类型：1 N-Channel
- 场效应管特性：-
- 产品类别：MOSFET
相关产品
