简体中文
图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / IST015N06NM5AUMA1
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
- ￥ 0 10+
- ￥ 0 100+
- ￥ 0 500+
- ￥ 0 1000+
- 型号： IST015N06NM5AUMA1
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 5-PowerSFN
- 描述： OPTIMOS 5 POWER MOSFET 60 V
- 库存地点： 内地
- 库存： 476
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：5-PowerSFN
- 供应商器件包装：PG-HSOF-5-1
- 厂商：Infineon Technologies
- Product Status：活跃
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：36A (Ta), 242A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：6V, 10V
- Power Dissipation (Max)：3.8W (Ta), 167W (Tc)
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage：60 V
- Moisture Sensitive：有
- Typical Turn-On Delay Time：22.48 ns
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage：3.3 V
- Pd - Power Dissipation：167 W
- Transistor Polarity：N-Channel
- Maximum Operating Temperature：+ 175 C
- Vgs - Gate-Source Voltage：- 20 V, + 20 V
- Minimum Operating Temperature：- 55 C
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：2000
- Mounting Styles：SMD/SMT
- Forward Transconductance - Min：140 S
- Channel Mode：Enhancement
- Part # Aliases：IST015N06NM5 SP005589487
- Manufacturer：Infineon
- Brand：Infineon Technologies
- Qg - Gate Charge：71 nC
- Rds On - Drain-Source Resistance：1.5 mOhms
- Typical Turn-Off Delay Time：44.6 ns
- Id - Continuous Drain Current：242 A
- 操作温度：-55°C ~ 175°C (TJ)
- 子类别：MOSFETs
- 通道数量：1 Channel
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：1.5mOhm @ 50A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.3V @ 95μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：5200 pF @ 30 V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：89 nC @ 10 V
- 上升时间：63.6 ns
- 漏源电压 (Vdss)：60 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 产品类别：MOSFET
- 晶体管类型：1 N-Channel
- 场效应管特性：-
- 产品类别：MOSFET
相关产品
