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MOSFETs 晶体管阵列 / TSM076NH04DCR RLG
- 价格 起订量
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- 型号： TSM076NH04DCR RLG
- 厂商： Taiwan Semiconductor Corporation
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： 8-PowerTDFN
- 描述： 40V, 34A, DUAL N-CHANNEL POWER M
- 库存地点： 内地
- 库存： 16800
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 包装/外壳：8-PowerTDFN
- 安装类型：表面贴装
- 供应商器件包装：8-PDFNU (5x6)
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：14A (Ta), 34A (Tc)
- Product Status：活跃
- 厂商：Taiwan Semiconductor Corporation
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage：40 V
- Typical Turn-On Delay Time：9.9 ns
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage：3.6 V
- Pd - Power Dissipation：55.6 W
- Transistor Polarity：N-Channel
- Maximum Operating Temperature：+ 175 C
- Vgs - Gate-Source Voltage：- 20 V, + 20 V
- Minimum Operating Temperature：- 55 C
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：2500
- Mounting Styles：SMD/SMT
- Forward Transconductance - Min：42 S
- Channel Mode：Enhancement
- Part # Aliases：TSM076NH04DCR
- Manufacturer：台湾半导体
- Brand：台湾半导体
- Qg - Gate Charge：19 nC
- Tradename：PerFET
- Rds On - Drain-Source Resistance：7.6 mOhms
- RoHS：Details
- Typical Turn-Off Delay Time：18.2 ns
- Id - Continuous Drain Current：34 A
- 操作温度：-55°C ~ 175°C (TJ)
- 包装：MouseReel
- 子类别：MOSFETs
- 技术：Si
- 通道数量：2 Channel
- 功率 - 最大：55.6W (Tc)
- 场效应管类型：2 N-Channel (Dual)
- Rds On(Max)@Id,Vgs：7.6mOhm @ 17A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.6V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1217pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：19nC @ 10V
- 上升时间：49.3 ns
- 漏源电压 (Vdss)：40V
- 产品类别：MOSFET
- 晶体管类型：2 N-Channel
- 场效应管特性：Standard
- 产品类别：MOSFET
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