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MOSFETs 晶体管阵列 / UPA2756GR-E1-A
- 价格 起订量
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- 型号： UPA2756GR-E1-A
- 厂商： RENESAS(瑞萨/IDT)
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： 8-PowerSOIC (0.173", 4.40mm Width)
- 描述： UPA2756 - POWER FIELD-EFFECT TRA
- 库存地点： 内地
- 库存： 2500
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-PowerSOIC (0.173", 4.40mm Width)
- 表面安装：YES
- 供应商器件包装：8-PowerSOP
- 厂商：Renesas
- Package：Bulk
- Product Status：Obsolete
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：4A (Ta)
- Package Description：,
- Operating Temperature-Max：150 °C
- Rohs Code：有
- Manufacturer Part Number：UPA2756GR-E1-A
- Manufacturer：Renesas Electronics Corporation
- Part Life Cycle Code：Obsolete
- Ihs Manufacturer：RENESAS ELECTRONICS CORP
- Risk Rank：5.82
- 系列：-
- 操作温度：150°C
- 子类别：FET 通用电源
- Reach合规守则：unknown
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率 - 最大：2W (Ta)
- 场效应管类型：2 N-Channel (Dual)
- Rds On(Max)@Id,Vgs：105mOhm @ 2A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：260pF @ 10V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：6nC @ 10V
- 漏源电压 (Vdss)：60V
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：4 A
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 最大耗散功率(Abs)：2 W
- 场效应管特性：Standard
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