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MOSFETs 晶体管阵列 / MSCSM70HM19T3AG
- 价格 起订量
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- 型号： MSCSM70HM19T3AG
- 厂商： Microchip Technology
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： Module
- 描述： PM-MOSFET-SIC-SP3F
- 库存地点： 内地
- 库存： 2488
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：底座安装
- 包装/外壳：Module
- 供应商器件包装：-
- 厂商：微芯片技术
- Package：Bulk
- Product Status：活跃
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：124A (Tc)
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage：700 V
- Typical Turn-On Delay Time：40 ns
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage：1.9 V
- Pd - Power Dissipation：365 W
- Transistor Polarity：N-Channel
- Maximum Operating Temperature：+ 175 C
- Vgs - Gate-Source Voltage：- 10 V, 23 V
- Minimum Operating Temperature：- 40 C
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：1
- Mounting Styles：螺钉安装
- Manufacturer：Microchip
- Brand：微芯片技术
- Rds On - Drain-Source Resistance：19 mOhms
- RoHS：Details
- Typical Turn-Off Delay Time：50 ns
- Id - Continuous Drain Current：124 A
- 系列：-
- 操作温度：-40°C ~ 175°C (TJ)
- 类型：Full Bridge SiC MOSFET Power Module
- 子类别：Discrete Semiconductor Modules
- 技术：SiC
- 配置：全桥
- 功率 - 最大：365W (Tc)
- 场效应管类型：4 N-Channel (Full Bridge)
- Rds On(Max)@Id,Vgs：19mOhm @ 40A, 20V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 4mA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：4500pF @ 700V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：215nC @ 20V
- 上升时间：40 ns
- 漏源电压 (Vdss)：700V
- 产品类别：Discrete Semiconductor Modules
- 场效应管特性：Silicon Carbide (SiC)
- 产品：功率MOSFET模块
- 产品类别：Discrete Semiconductor Modules
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