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MOSFETs 晶体管阵列 / DMC1018UPDWQ-13
- 价格 起订量
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- 型号： DMC1018UPDWQ-13
- 厂商： Diodes Incorporated
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： 8-PowerTDFN
- 描述： MOSFET BVDSS: 8V~24V POWERDI5060
- 库存地点： 内地
- 库存： 128859
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-PowerTDFN
- 供应商器件包装：PowerDI5060-8 (Type UXD)
- 厂商：Diodes Incorporated
- Package：Tape & Reel (TR)
- Product Status：活跃
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：10A (Ta), 31.3A (Ta), 6.7A (Ta), 20.9A (Tc)
- Package Type：PowerDI5060-8
- Channel Mode：Enhancement
- MSL：MSL 1 - Unlimited
- Qualification：AEC-Q101
- Transistor Polarity：Complementary N and P Channel
- Continuous Drain Current Id：31.3A
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage：12 V, 20 V
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage：800 mV, 850 mV
- Pd - Power Dissipation：25 W
- Maximum Operating Temperature：+ 150 C
- Vgs - Gate-Source Voltage：- 8 V, + 8 V, - 12 V, + 12 V
- Minimum Operating Temperature：- 55 C
- Mounting Styles：SMD/SMT
- Qg - Gate Charge：30.4 nC, 19 nC
- Rds On - Drain-Source Resistance：17 mOhms, 53 mOhms
- Id - Continuous Drain Current：31.3 A, 20.9 A
- 系列：Automotive, AEC-Q101
- 操作温度：-55°C ~ 150°C (TJ)
- 技术：Si
- 引脚数量：8
- 通道数量：2 Channel
- 功率 - 最大：2.6W (Ta), 25W (Tc)
- 场效应管类型：N and P-Channel Complementary
- Rds On(Max)@Id,Vgs：17mOhm @ 11.8A, 4.5V, 38mOhm @ 8.9A, 4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1525pF @ 6V, 866pF @ 6V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：30.4nC @ 8V, 19nC @ 8V
- 漏源电压 (Vdss)：12V, 20V
- 信道型：N, P
- 场效应管特性：Standard
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