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单MOSFET晶体管 / DMP2069UFY4Q-7
- 价格 起订量
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- 型号： DMP2069UFY4Q-7
- 厂商： Diodes Incorporated
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 3-XDFN
- 描述： MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN2015-
- 库存地点： 内地
- 库存： 6000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：3-XDFN
- 供应商器件包装：X2-DFN2015-3
- 厂商：Diodes Incorporated
- Package：Tape & Reel (TR)
- Product Status：活跃
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：2.5A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：1.8V, 4.5V
- Power Dissipation (Max)：530mW
- Continuous Drain Current Id：2.5
- Package Type：X2-DFN2015
- Channel Mode：Enhancement
- MSL：-
- Qualification：AEC-Q101
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：3000
- Manufacturer：Diodes Incorporated
- Brand：Diodes Incorporated
- RoHS：Details
- 系列：Automotive, AEC-Q101
- 操作温度：-55°C ~ 150°C (TJ)
- 包装：MouseReel
- 子类别：MOSFETs
- 引脚数量：3
- 功率耗散：530
- 场效应管类型：P-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：54mOhm @ 2.5A, 4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：214 pF @ 10 V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：9.1 nC @ 4.5 V
- 漏源电压 (Vdss)：20 V
- Vgs（最大值）：±8V
- 产品类别：MOSFET
- 信道型：P
- 场效应管特性：-
- 产品类别：MOSFET
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