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单MOSFET晶体管 / 2SK2857-T1-AZ
- 价格 起订量
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- 型号： 2SK2857-T1-AZ
- 厂商： RENESAS(瑞萨/IDT)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-243AA
- 描述： 2SK2857-T1-AZ - N-CHANNEL MOSFET
- 库存地点： 内地
- 库存： 266
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-243AA
- 表面安装：YES
- 供应商器件包装：SC-62
- 厂商：Renesas
- Power Dissipation (Max)：2W (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4V, 10V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：4A (Ta)
- Product Status：Obsolete
- Package：Bulk
- Package Description：,
- Manufacturer Package Code：PLZZ0004CC-A3
- Reflow Temperature-Max (s)：未说明
- Operating Temperature-Max：150 °C
- Rohs Code：有
- Manufacturer Part Number：2SK2857-T1-AZ
- Manufacturer：Renesas Electronics Corporation
- Part Life Cycle Code：Obsolete
- Ihs Manufacturer：RENESAS ELECTRONICS CORP
- Risk Rank：5.71
- Part Package Code：POMM
- 系列：-
- 操作温度：150°C
- 子类别：FET 通用电源
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- Reach合规守则：unknown
- 引脚数量：3
- Brand Name：Renesas
- 配置：Single
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：150mOhm @ 2.5A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 1mA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：265 pF @ 10 V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：10.6 nC @ 10 V
- 漏源电压 (Vdss)：60 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：4 A
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 最大耗散功率(Abs)：2 W
- 场效应管特性：-
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