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单MOSFET晶体管 / HAT2202C-EL-E
- 价格 起订量
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- 型号： HAT2202C-EL-E
- 厂商： RENESAS(瑞萨/IDT)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 6-SMD, Flat Leads
- 描述： HAT2202C-EL-E - SILICON N CHANNE
- 库存地点： 内地
- 库存： 56205
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：6-SMD, Flat Leads
- 表面安装：YES
- 供应商器件包装：6-CMFPAK
- 终端数量：6
- 晶体管元件材料：SILICON
- 厂商：Renesas
- Package：Bulk
- Product Status：Obsolete
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：3A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：2.5V, 4.5V
- Power Dissipation (Max)：200mW
- Package Description：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
- Package Style：小概要
- Moisture Sensitivity Levels：1
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Manufacturer Package Code：PWSF0006JA-A6
- Reflow Temperature-Max (s)：20
- Operating Temperature-Max：150 °C
- Rohs Code：有
- Manufacturer Part Number：HAT2202C-EL-E
- Package Shape：RECTANGULAR
- Manufacturer：Renesas Electronics Corporation
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：Obsolete
- Ihs Manufacturer：RENESAS ELECTRONICS CORP
- Risk Rank：5.82
- Part Package Code：CMFPAK
- Drain Current-Max (ID)：3 A
- 系列：-
- 操作温度：150°C
- JESD-609代码：e6
- 无铅代码：有
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin/Bismuth (Sn/Bi)
- 子类别：FET 通用电源
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：FLAT
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- Reach合规守则：compliant
- 引脚数量：6
- JESD-30代码：R-PDSO-F6
- 资历状况：不合格
- Brand Name：Renesas
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：40mOhm @ 1.5A, 4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.4V @ 1mA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：520 pF @ 10 V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：6 nC @ 4.5 V
- 漏源电压 (Vdss)：20 V
- Vgs（最大值）：±12V
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：3 A
- 漏极-源极导通最大电阻：0.055 Ω
- DS 击穿电压-最小值：20 V
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 最大耗散功率(Abs)：0.9 W
- 场效应管特性：-
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