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分立半导体 / BSM30GP60
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
- ￥ 0 10+
- ￥ 0 100+
- ￥ 0 500+
- ￥ 0 1000+
- 型号： BSM30GP60
- 厂商： Infineon(英飞凌)
- 类别： 分立半导体
- 封装：
- 描述： Insulated Gate Bipolar Transistor, 70A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-24
- 库存地点： 内地
- 库存： 120
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：Screw
- 表面安装：NO
- 引脚数：2
- 终端数量：24
- 晶体管元件材料：SILICON
- Manufacturer Part Number：BSM30GP60
- Manufacturer：Infineon
- RoHS：有
- Collector-Emitter Saturation Voltage：2.45 V
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：600 V
- Package Description：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X24
- Package Style：FLANGE MOUNT
- Package Body Material：UNSPECIFIED
- Turn-on Time-Nom (ton)：105 ns
- Turn-off Time-Nom (toff)：315 ns
- Reflow Temperature-Max (s)：未说明
- Operating Temperature-Max：150 °C
- Rohs Code：有
- Package Shape：RECTANGULAR
- Number of Elements：7
- Part Life Cycle Code：Obsolete
- Ihs Manufacturer：INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Risk Rank：5.71
- Part Package Code：MODULE
- ECCN 代码：EAR99
- 最高工作温度：125 °C
- 最小工作温度：-40 °C
- 子类别：绝缘栅BIP晶体管
- 最大功率耗散：180 W
- 端子位置：UPPER
- 终端形式：UNSPECIFIED
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- Reach合规守则：compliant
- 引脚数量：24
- JESD-30代码：R-XUFM-X24
- 资历状况：不合格
- 配置：COMPLEX
- 功率耗散：180 W
- 箱体转运：ISOLATED
- 晶体管应用：电源控制
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 集电极发射器电压(VCEO)：600 V
- 最大集电极电流：50 A
- 最大耗散功率(Abs)：280 W
- 集电极电流-最大值(IC)：70 A
- 集电极-发射器电压-最大值：600 V
- 栅极-发射极电压-最大值：20 V
- VCEsat-最大值：2.45 V
- 宽度：45 mm
- 高度：17 mm
- 长度：107.5 mm
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