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分立半导体 / BFP540ESDE6327
- 价格 起订量
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- 型号： BFP540ESDE6327
- 厂商： Infineon(英飞凌)
- 类别： 分立半导体
- 封装：
- 描述： RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, SOT-343, 4 PIN
- 库存地点： 内地
- 库存： 2052
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
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银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：表面贴装
- 表面安装：YES
- 引脚数：4
- 终端数量：4
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：5 V
- Voltage Rating (DC)：4 V
- RoHS：Compliant
- Package Description：SOT-343, 4 PIN
- Package Style：小概要
- Moisture Sensitivity Levels：1
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Operating Temperature-Max：150 °C
- Rohs Code：有
- Transition Frequency-Nom (fT)：34000 MHz
- Manufacturer Part Number：BFP540ESDE6327
- Package Shape：RECTANGULAR
- Manufacturer：Infineon Technologies AG
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：Obsolete
- Ihs Manufacturer：INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Risk Rank：5.3
- Part Package Code：SOT
- JESD-609代码：e3
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：哑光锡
- 最高工作温度：150 °C
- 最小工作温度：-65 °C
- 附加功能：HIGH RELIABILITY, LOW NOISE
- 子类别：其他晶体管
- 最大功率耗散：250 mW
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- Reach合规守则：unknown
- 额定电流：80 mA
- 频率：30 GHz
- 引脚数量：4
- JESD-30代码：R-PDSO-G4
- 资历状况：不合格
- 极性：NPN
- 配置：SINGLE
- 功率耗散：250 mW
- 箱体转运：EMITTER
- 晶体管应用：AMPLIFIER
- 增益带宽积：30 GHz
- 极性/通道类型：NPN
- 集电极发射器电压(VCEO)：4.5 V
- 最大集电极电流：80 mA
- 增益：21.5 dB
- 最高频率：30 GHz
- 转换频率：30 GHz
- 最大击穿电压：5 V
- 集电极基极电压(VCBO)：10 V
- 最大耗散功率(Abs)：0.25 W
- 发射极基极电压 (VEBO)：1 V
- 集电极电流-最大值(IC)：0.08 A
- 最小直流增益（hFE）：50
- 集电极-发射器电压-最大值：4 V
- 最高频段：L带
- 集电极-基极电容-最大值：0.24 pF
- 辐射硬化：无
- 无铅：无铅
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