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分立半导体 / RN1115MFV(TPL3)
- 价格 起订量
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- ￥ 0 500+
- ￥ 0 1000+
- 型号： RN1115MFV(TPL3)
- 厂商： TOSHIBA(东芝)
- 类别： 分立半导体
- 封装：
- 描述： Digital Transistors 2.2Kohms x 10Kohms
- 库存地点： 内地
- 库存： 18
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：表面贴装
- 引脚数：3
- Emitter- Base Voltage VEBO：6 V
- Typical Resistor Ratio：0.22
- Pd - Power Dissipation：150 mW
- Transistor Polarity：NPN
- Maximum Operating Temperature：+ 150 C
- DC Collector/Base Gain hfe Min：50
- Typical Input Resistor：2.2 kOhms
- Minimum Operating Temperature：- 65 C
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：8000
- Mounting Styles：SMD/SMT
- Manufacturer：Toshiba
- Brand：Toshiba
- RoHS：Details
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max：50 V
- hFEMin：50
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：50 V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：300 mV
- 系列：RN1115MFV
- 包装：MouseReel
- 类型：NPN Epitaxial Silicon Transistor
- 最高工作温度：150 °C
- 最小工作温度：-65 °C
- 子类别：Transistors
- 最大功率耗散：150 mW
- 极性：NPN
- 元素配置：Single
- 功率耗散：150 mW
- 产品类别：BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
- 集电极发射器电压(VCEO)：50 V
- 最大集电极电流：100 mA
- 工作温度范围：- 65 C to + 150 C
- 转换频率：250 MHz
- 集电极基极电压(VCBO)：50 V
- 发射极基极电压 (VEBO)：6 V
- 连续集电极电流：100 mA
- 产品类别：Bipolar Transistors - Pre-Biased
- 宽度：0.5 mm
- 高度：1.2 mm
- 长度：1.2 mm
- 辐射硬化：无
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