简体中文
图片经供参考，以实物为准
分立半导体 / 2SC5703(TE85L,F)
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
- ￥ 0 10+
- ￥ 0 100+
- ￥ 0 500+
- ￥ 0 1000+
- 型号： 2SC5703(TE85L,F)
- 厂商： TOSHIBA(东芝)
- 类别： 分立半导体
- 封装：
- 描述： Trans GP BJT NPN 50V 4A 3-Pin TSM T/R
- 库存地点： 内地
- 库存： 100
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：表面贴装
- 表面安装：YES
- 引脚数：3
- Emitter-Base Voltage：7 V
- Collector Current (DC) (Max)：4 A
- Operating Temperature Classification：Military
- Package Type：TSM
- Transistor Polarity：NPN
- Collector-Base Voltage：100 V
- Category：双极电源
- Operating Temp Range：-55C to 150C
- Collector Current (DC)：4 A
- Number of Elements：1
- Rad Hardened：无
- Collector-Emitter Voltage：50 V
- DC Current Gain：400
- Mounting：表面贴装
- RoHS：Compliant
- Package Description：,
- Operating Temperature-Max：150 °C
- Rohs Code：有
- Manufacturer Part Number：2SC5703(TE85L,F
- Manufacturer：东芝美国电子元器件
- Part Life Cycle Code：活跃
- Ihs Manufacturer：TOSHIBA CORP
- Risk Rank：5.76
- 包装：卷带
- 最高工作温度：150 °C
- 最小工作温度：-55 °C
- 子类别：其他晶体管
- 最大功率耗散：800 mW
- Reach合规守则：unknown
- 引脚数量：3
- 极性：NPN
- 配置：Single
- 功率耗散：0.8 W
- 极性/通道类型：NPN
- 集电极发射器电压(VCEO)：50 V
- 最大集电极电流：4 A
- 集电极基极电压(VCBO)：100 V
- 最大耗散功率(Abs)：1.25 W
- 发射极基极电压 (VEBO)：7 V
- 集电极电流-最大值(IC)：4 A
- 最小直流增益（hFE）：400
- 辐射硬化：无
相关产品
