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存储器 / IS43DR86400C-3DBLI
- 价格 起订量
- ￥ 97.73358 1+
- ￥ 92.20149 10+
- ￥ 86.98254 100+
- ￥ 82.05900 500+
- ￥ 77.41415 1000+
- 型号： IS43DR86400C-3DBLI
- 厂商： ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 类别： 存储器
- 封装： 60-TFBGA
- 描述： DRAM 512M, 1.8V, 333Mhz 64Mx8 DDR2 SDRAM
- 库存地点： 内地
- 库存： 350
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 97.73358
付款方式
支付宝
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：8 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：60-TFBGA
- 引脚数：60
- Memory Types：Volatile
- Usage Level：Industrial grade
- 操作温度：-40°C~85°C TA
- 包装：Tray
- JESD-609代码：e1
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：3 (168 Hours)
- 终止次数：60
- 端子表面处理：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
- 附加功能：AUTO/SELF REFRESH
- 电压 - 供电 ：1.7V~1.9V
- 端子位置：BOTTOM
- 功能数量：1
- 电源电压：1.8V
- 端子间距：0.8mm
- 工作电源电压：1.8V
- 电源电压-最大值(Vsup)：1.9V
- 电源电压-最小值(Vsup)：1.7V
- 内存大小：512Mb 64M x 8
- 端口的数量：1
- 电源电流：250mA
- 最大电源电流：120mA
- 时钟频率：333MHz
- 访问时间：450ps
- 内存格式：DRAM
- 内存接口：Parallel
- 数据总线宽度：8b
- 组织结构：64MX8
- 输出特性：3-STATE
- 内存宽度：8
- 写入周期时间 - 字符、页面：15ns
- 地址总线宽度：16b
- 密度：512 Mb
- 待机电流-最大值：0.011A
- I/O类型：COMMON
- 刷新周期：8192
- 顺序突发长度：48
- 交错突发长度：48
- 长度：10.5mm
- 座位高度(最大)：1.2mm
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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