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存储器 / IS66WVC4M16ALL-7010BLI
- 价格 起订量
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- 型号： IS66WVC4M16ALL-7010BLI
- 厂商： ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 类别： 存储器
- 封装： 54-VFBGA
- 描述： SRAM 64Mb 1.54M x 16 70ns Pseudo SRAM
- 库存地点： 内地
- 库存： 9117
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：54-VFBGA
- 引脚数：54
- Memory Types：Volatile
- 操作温度：-40°C~85°C TA
- 包装：Tray
- JESD-609代码：e1
- 无铅代码：yes
- 零件状态：Discontinued
- 湿度敏感性等级(MSL)：3 (168 Hours)
- 终止次数：54
- ECCN 代码：3A991.B.2.A
- 端子表面处理：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
- 电压 - 供电 ：1.7V~1.95V
- 端子位置：BOTTOM
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 功能数量：1
- 电源电压：1.8V
- 端子间距：0.75mm
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：40
- 引脚数量：54
- 电源电压-最大值(Vsup)：1.95V
- 电源：1.8V
- 电源电压-最小值(Vsup)：1.7V
- 内存大小：64Mb 4M x 16
- 内存格式：PSRAM
- 内存接口：Parallel
- 组织结构：4MX16
- 输出特性：3-STATE
- 内存宽度：16
- 写入周期时间 - 字符、页面：70ns
- 待机电流-最大值：0.00001A
- 记忆密度：67108864 bit
- 访问时间（最大）：70 ns
- I/O类型：COMMON
- 长度：8mm
- 座位高度(最大)：1mm
- 宽度：6mm
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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