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存储器 / IS43R16320D-5BLI
- 价格 起订量
- ¥ 0 1+
- ¥ 0 10+
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- ¥ 0 1000+
- 型号: IS43R16320D-5BLI
- 厂商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 类别: 存储器
- 封装: 60-TFBGA
- 描述: DRAM Chip DDR SDRAM 512Mbit 32Mx16 2.5V 60-Pin TFBGA
- 库存地点: 内地
- 库存: 15
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间:8 Weeks
- 底架:表面贴装
- 安装类型:表面贴装
- 包装/外壳:60-TFBGA
- 引脚数:60
- Memory Types:Volatile
- Usage Level:Industrial grade
- 包装:Tray
- 操作温度:-40°C~85°C TA
- JESD-609代码:e1
- 无铅代码:yes
- 零件状态:活跃
- 湿度敏感性等级(MSL):3 (168 Hours)
- 终止次数:60
- ECCN 代码:EAR99
- 端子表面处理:锡银铜
- 附加功能:AUTO/SELF REFRESH
- HTS代码:8542.32.00.28
- 电压 - 供电 :2.5V~2.7V
- 端子位置:BOTTOM
- 峰值回流焊温度(摄氏度):260
- 功能数量:1
- 电源电压:2.6V
- 端子间距:1mm
- 时间@峰值回流温度-最大值(s):40
- 引脚数量:60
- 工作电源电压:2.5V
- 电源电压-最大值(Vsup):2.7V
- 电源:2.6V
- 内存大小:512Mb 32M x 16
- 端口的数量:1
- 电源电流:430mA
- 时钟频率:200MHz
- 访问时间:700ps
- 内存格式:DRAM
- 内存接口:Parallel
- 数据总线宽度:16b
- 组织结构:32MX16
- 输出特性:3-STATE
- 内存宽度:16
- 写入周期时间 - 字符、页面:15ns
- 地址总线宽度:15b
- 密度:512 Mb
- 待机电流-最大值:0.025A
- I/O类型:COMMON
- 刷新周期:8192
- 顺序突发长度:248
- 交错突发长度:248
- 长度:13mm
- 座位高度(最大):1.2mm
- RoHS状态:ROHS3 Compliant
- 辐射硬化:无
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