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存储器 / IS43LR16160G-6BLI
- 价格 起订量
- ￥ 47.73601 1+
- ￥ 45.03397 10+
- ￥ 42.48488 100+
- ￥ 40.08007 500+
- ￥ 37.81139 1000+
- 型号： IS43LR16160G-6BLI
- 厂商： ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 类别： 存储器
- 封装： 60-TFBGA
- 描述： DRAM 256M, 1.8V, 166Mhz Mobile DDR SDRAM
- 库存地点： 内地
- 库存： 568
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 47.73601
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：14 Weeks
- 触点镀层：Copper, Silver, Tin
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：60-TFBGA
- 引脚数：60
- Memory Types：Volatile
- Usage Level：Industrial grade
- 操作温度：-40°C~85°C TA
- 包装：Tray
- JESD-609代码：e1
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：3 (168 Hours)
- 终止次数：60
- 端子表面处理：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
- 附加功能：AUTO/SELF REFRESH
- 电压 - 供电 ：1.7V~1.95V
- 端子位置：BOTTOM
- 功能数量：1
- 电源电压：1.8V
- 端子间距：0.8mm
- 工作电源电压：1.8V
- 电源电压-最大值(Vsup)：1.95V
- 电源电压-最小值(Vsup)：1.7V
- 内存大小：256Mb 16M x 16
- 端口的数量：1
- 操作模式：SYNCHRONOUS
- 时钟频率：166MHz
- 访问时间：5.5ns
- 内存格式：DRAM
- 内存接口：Parallel
- 数据总线宽度：16b
- 组织结构：16MX16
- 内存宽度：16
- 写入周期时间 - 字符、页面：15ns
- 地址总线宽度：13b
- 密度：256 Mb
- 长度：10mm
- 座位高度(最大)：1.1mm
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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