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存储器 / IS43R16160D-5BL
- 价格 起订量
- ¥ 36.76626 1+
- ¥ 34.68515 10+
- ¥ 32.72184 100+
- ¥ 30.86966 500+
- ¥ 29.12232 1000+
- 型号: IS43R16160D-5BL
- 厂商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 类别: 存储器
- 封装: 60-TFBGA
- 描述: DRAM 256M (16Mx16) 200MHz 2.5v DDR SDRAM
- 库存地点: 内地
- 库存: 1202
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 36.76626
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间:8 Weeks
- 底架:表面贴装
- 安装类型:表面贴装
- 包装/外壳:60-TFBGA
- 引脚数:60
- Memory Types:Volatile
- Usage Level:Commercial grade
- 操作温度:0°C~70°C TA
- 包装:Tray
- 零件状态:活跃
- 湿度敏感性等级(MSL):3 (168 Hours)
- 终止次数:60
- ECCN 代码:EAR99
- 附加功能:AUTO/SELF REFRESH
- HTS代码:8542.32.00.24
- 电压 - 供电 :2.3V~2.7V
- 端子位置:BOTTOM
- 功能数量:1
- 电源电压:2.5V
- 端子间距:0.8mm
- 引脚数量:60
- 工作电源电压:2.5V
- 电源电压-最大值(Vsup):2.7V
- 电源电压-最小值(Vsup):2.3V
- 内存大小:256Mb 16M x 16
- 端口的数量:1
- 电源电流:330mA
- 时钟频率:200MHz
- 访问时间:700ps
- 内存格式:DRAM
- 内存接口:Parallel
- 数据总线宽度:16b
- 组织结构:16MX16
- 输出特性:3-STATE
- 内存宽度:16
- 写入周期时间 - 字符、页面:15ns
- 地址总线宽度:15b
- 密度:256 Mb
- 待机电流-最大值:0.004A
- I/O类型:COMMON
- 刷新周期:8192
- 顺序突发长度:248
- 交错突发长度:248
- 长度:13mm
- 座位高度(最大):1.2mm
- 辐射硬化:无
- RoHS状态:ROHS3 Compliant
- 无铅:无铅
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