简体中文
图片经供参考，以实物为准
存储器 / R1LP5256ESP-5SI#S0
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
- ￥ 0 10+
- ￥ 0 100+
- ￥ 0 500+
- ￥ 0 1000+
- 型号： R1LP5256ESP-5SI#S0
- 厂商： Renesas Electronics America
- 类别： 存储器
- 封装： 28-SOIC (0.330, 8.40mm Width)
- 描述： IC SRAM 256KBIT 55NS 28SOP
- 库存地点： 内地
- 库存： 350
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：20 Weeks
- 表面安装：YES
- 包装/外壳：28-SOIC (0.330, 8.40mm Width)
- 安装类型：表面贴装
- 引脚数：28
- Memory Types：Volatile
- 已出版：2011
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 操作温度：-40°C~85°C TA
- JESD-609代码：e2
- 无铅代码：yes
- 零件状态：最后一次购买
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：28
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin/Copper (Sn/Cu)
- 电压 - 供电 ：4.5V~5.5V
- 端子位置：DUAL
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 功能数量：1
- 电源电压：5V
- 频率：1MHz
- 基本部件号：R1LP5256E
- 引脚数量：28
- 工作电源电压：5V
- 电源：5V
- 内存大小：256Kb 32K x 8
- 端口的数量：1
- 电源电流-最大值：0.035mA
- 内存格式：SRAM
- 内存接口：Parallel
- 组织结构：32KX8
- 输出特性：3-STATE
- 内存宽度：8
- 写入周期时间 - 字符、页面：55ns
- 地址总线宽度：15b
- 密度：256 kb
- 待机电流-最大值：0.000002A
- 访问时间（最大）：55 ns
- I/O类型：COMMON
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 辐射硬化：无
- 无铅：无铅
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
R1LP5256ESP-5SI#S0 Renesas Electronics America- AS6C62256-55SIN Alliance Memory, Inc.
- AS6C62256-55SCN Alliance Memory, Inc.
- IS62C256AL-45ULI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- IS62C256AL-45ULI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
