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存储器 / IS61LV25616AL-10BLI
- 价格 起订量
- ￥ 50.13079 1+
- ￥ 47.29320 10+
- ￥ 44.61623 100+
- ￥ 42.09078 500+
- ￥ 39.70828 1000+
- 型号： IS61LV25616AL-10BLI
- 厂商： ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 类别： 存储器
- 封装： 48-TFBGA
- 描述： SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-Bit 256K x 16 10ns 48-Pin Mini-BGA
- 库存地点： 内地
- 库存： 220
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 50.13079
付款方式
支付宝
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银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：8 Weeks
- 包装/外壳：48-TFBGA
- 安装类型：表面贴装
- 底架：表面贴装
- 引脚数：48
- Memory Types：Volatile
- Usage Level：Industrial grade
- 操作温度：-40°C~85°C TA
- 包装：Tray
- JESD-609代码：e1
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：3 (168 Hours)
- 终止次数：48
- 端子表面处理：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
- 电压 - 供电 ：3.135V~3.6V
- 端子位置：BOTTOM
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 功能数量：1
- 电源电压：3.3V
- 端子间距：0.75mm
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：40
- 引脚数量：48
- 工作电源电压：3.3V
- 电源电压-最大值(Vsup)：3.63V
- 内存大小：4Mb 256K x 16
- 端口的数量：1
- 电源电流：110mA
- 内存格式：SRAM
- 内存接口：Parallel
- 输出特性：3-STATE
- 写入周期时间 - 字符、页面：10ns
- 地址总线宽度：18b
- 密度：4 Mb
- I/O类型：COMMON
- 同步/异步：Asynchronous
- 字长：16b
- 待机电压-最小值：2V
- 宽度：8mm
- 长度：10mm
- 高度：600μm
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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- IS61WV25616BLL-10BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
71V416S10BE Integrated Device Technology (IDT)
