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存储器 / 71V416S10BE
- 价格 起订量
- ￥ 44.11962 1+
- ￥ 41.62228 10+
- ￥ 39.26631 100+
- ￥ 37.04368 500+
- ￥ 34.94687 1000+
- 型号： 71V416S10BE
- 厂商： Integrated Device Technology (IDT)
- 类别： 存储器
- 封装： TFBGA
- 描述： SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-Bit 256K x 16 10ns 48-Pin CABGA Tube/Tray
- 库存地点： 内地
- 库存： 480
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 44.11962
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：12 Weeks
- 底架：表面贴装
- 包装/外壳：TFBGA
- 引脚数：48
- Memory Types：RAM, SDR, SRAM - Asynchronous
- 已出版：2013
- JESD-609代码：e0
- 无铅代码：no
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：4 (72 Hours)
- 终止次数：48
- 端子表面处理：Tin/Lead (Sn63Pb37)
- 最高工作温度：70°C
- 最小工作温度：0°C
- 端子位置：BOTTOM
- 终端形式：BALL
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：225
- 功能数量：1
- 电源电压：3.3V
- 端子间距：0.75mm
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：20
- 引脚数量：48
- 工作电源电压：3.3V
- 温度等级：INDUSTRIAL
- 界面：Parallel
- 最大电源电压：3.6V
- 最小电源电压：3V
- 内存大小：512kB
- 端口的数量：1
- 电源电流：200mA
- 访问时间：10 ns
- 输出特性：3-STATE
- 地址总线宽度：18b
- 密度：4 Mb
- 待机电流-最大值：0.02A
- I/O类型：COMMON
- 同步/异步：Asynchronous
- 字长：16b
- 待机电压-最小值：3V
- 长度：9mm
- 宽度：9mm
- 器件厚度：1.2mm
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：符合RoHS标准
- 无铅：含铅
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