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单MOSFET晶体管 / DMT6010LSS-13
- 价格 起订量
- ￥ 11.09077 1+
- ￥ 10.46299 10+
- ￥ 9.87075 100+
- ￥ 9.31202 500+
- ￥ 8.78493 1000+
- 型号： DMT6010LSS-13
- 厂商： Diodes Incorporated
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 描述： MOSFET BVDSS: 41V 60V SO-8 T&R 2
- 库存地点： 内地
- 库存： 2500
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 11.09077
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：23 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 引脚数：8
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：14A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Power Dissipation (Max)：1.5W Ta
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2015
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Matte Tin (Sn)
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：8m Ω @ 20A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：2090pF @ 30V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：41.3nC @ 10V
- 漏源电压 (Vdss)：60V
- Vgs（最大值）：±20V
- 连续放电电流(ID)：14A
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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