简体中文
图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / FDMC7660
- 价格 起订量
- ￥ 21.20000 1+
- ￥ 20.00000 10+
- ￥ 18.86793 100+
- ￥ 17.79993 500+
- ￥ 16.79239 1000+
- 型号： FDMC7660
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 8-PowerTDFN
- 描述： MOSFET N-CH 30V 20A 8-PQFN
- 库存地点： 内地
- 库存： 897
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 21.20000
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：10 Weeks
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
- 包装/外壳：8-PowerTDFN
- 安装类型：表面贴装
- 底架：表面贴装
- 引脚数：8
- 质量：32.13mg
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：20A Ta 40A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Turn Off Delay Time：36 ns
- Power Dissipation (Max)：2.3W Ta 41W Tc
- Number of Elements：1
- 已出版：2009
- 系列：PowerTrench®
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：5
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：无铅
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- Reach合规守则：not_compliant
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- JESD-30代码：S-PDSO-N5
- 资历状况：不合格
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：2.3W
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：14 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：2.2m Ω @ 20A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：4830pF @ 15V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：86nC @ 10V
- 上升时间：6.8ns
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：5.7 ns
- 连续放电电流(ID)：20A
- 阈值电压：1.7V
- JEDEC-95代码：MO-240BA
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏极-源极导通最大电阻：0.0022Ohm
- 漏源击穿电压：30V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：200A
- 雪崩能量等级（Eas）：200 mJ
- 栅源电压：1.7 V
- 高度：1.05mm
- 长度：3.3mm
- 宽度：3.3mm
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 达到SVHC：无SVHC
- 无铅：无铅
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
FDMC7660 ON Semiconductor
FDMC7664 ON Semiconductor
IRF8788PBF Infineon Technologies
FDS6699S ON Semiconductor
FDMS7660 ON Semiconductor
