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单MOSFET晶体管 / ZXMN6A08E6QTA
- 价格 起订量
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- 型号： ZXMN6A08E6QTA
- 厂商： Diodes Incorporated
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： SOT-23-6
- 描述： MOSFET 60V N-CH ENH FET 20VGS 80MOHM~ MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6
- 库存地点： 内地
- 库存： 100
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 8.72392
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：15 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：SOT-23-6
- 引脚数：6
- 供应商器件包装：SOT-26
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：2.8A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Power Dissipation (Max)：1.1W Ta
- Turn Off Delay Time：12.3 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Cut Tape (CT)
- 已出版：2006
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 最高工作温度：150°C
- 最小工作温度：-55°C
- 基本部件号：ZXMN6A08
- 通道数量：1
- 元素配置：Single
- 接通延迟时间：2.6 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：80mOhm @ 4.8A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：459pF @ 40V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：5.8nC @ 10V
- 上升时间：2.1ns
- 漏源电压 (Vdss)：60V
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：4.6 ns
- 连续放电电流(ID)：2.8A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏源击穿电压：60V
- 输入电容：459pF
- 漏源电阻：150mOhm
- 最大rds：80 mΩ
- 达到SVHC：无SVHC
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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