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单MOSFET晶体管 / STB4NK60Z-1
- 价格 起订量
- ￥ 4.32895 1+
- ￥ 4.08391 10+
- ￥ 3.85275 100+
- ￥ 3.63467 500+
- ￥ 3.42893 1000+
- 型号： STB4NK60Z-1
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
- 描述： MOSFET N-CH 600V 4A I2PAK
- 库存地点： 内地
- 库存： 16000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 4.32895
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Turn Off Delay Time：29 ns
- Power Dissipation (Max)：70W Tc
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：4A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- 系列：SuperMESH™
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Tube
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：不用于新设计
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Matte Tin (Sn) - annealed
- 基本部件号：STB4N
- 引脚数量：3
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：70W
- 接通延迟时间：12 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：2 Ω @ 2A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 50μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：510pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：26nC @ 10V
- 上升时间：9.5ns
- Vgs（最大值）：±30V
- 下降时间（典型值）：16.5 ns
- 连续放电电流(ID)：4A
- 栅极至源极电压(Vgs)：30V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：4A
- 漏极-源极导通最大电阻：2Ohm
- 漏源击穿电压：600V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：16A
- 雪崩能量等级（Eas）：120 mJ
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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