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图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / STU3N45K3
- 价格 起订量
- ￥ 2.74331 1+
- ￥ 2.58803 10+
- ￥ 2.44153 100+
- ￥ 2.30333 500+
- ￥ 2.17296 1000+
- 型号： STU3N45K3
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- 描述： MOSFET N-CH 450V 1.8A IPAK
- 库存地点： 内地
- 库存： 32365
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 2.74331
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
- 工厂交货时间：12 Weeks
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- 引脚数：3
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：1.8A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：27W Tc
- 包装：Tube
- 系列：SuperMESH3™
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 最高工作温度：150°C
- 最小工作温度：-55°C
- 基本部件号：STU3N
- 引脚数量：3
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：27W
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：3.8 Ω @ 500mA, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 50μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：150pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：6nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±30V
- 连续放电电流(ID)：1.8A
- 阈值电压：3.75V
- 栅极至源极电压(Vgs)：30V
- 漏源击穿电压：450V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：7.2A
- 高度：6.9mm
- 长度：6.6mm
- 宽度：2.4mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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