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单MOSFET晶体管 / FCH043N60
- 价格 起订量
- ￥ 99.98563 1+
- ￥ 94.32606 10+
- ￥ 88.98685 100+
- ￥ 83.94986 500+
- ￥ 79.19798 1000+
- 型号： FCH043N60
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-247-3
- 描述： MOSFET HV SuperJunction MOS
- 库存地点： 内地
- 库存： 9000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 99.98563
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：12 Weeks
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
- 包装/外壳：TO-247-3
- 安装类型：通孔
- 底架：通孔
- 引脚数：3
- 质量：6.39g
- 晶体管元件材料：SILICON
- Turn Off Delay Time：162 ns
- Power Dissipation (Max)：592W Tc
- Number of Elements：1
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：75A Tc
- 已出版：2014
- 系列：SuperFET® II
- 包装：Tube
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- Reach合规守则：not_compliant
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 通道数量：1
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 接通延迟时间：46 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：43m Ω @ 38A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：12225pF @ 400V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：215nC @ 10V
- 上升时间：36ns
- 漏源电压 (Vdss)：600V
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：6 ns
- 连续放电电流(ID)：75A
- JEDEC-95代码：TO-247AB
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：225A
- DS 击穿电压-最小值：600V
- 雪崩能量等级（Eas）：2025 mJ
- 宽度：4.82mm
- 长度：15.87mm
- 高度：20.82mm
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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