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图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / IRFB3207PBF
- 价格 起订量
- ￥ 18.90992 1+
- ￥ 17.83954 10+
- ￥ 16.82976 100+
- ￥ 15.87713 500+
- ￥ 14.97842 1000+
- 型号： IRFB3207PBF
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-220-3
- 描述： MOSFET N-CH 75V 180A TO-220AB
- 库存地点： 内地
- 库存： 100000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 18.90992
付款方式
支付宝
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：12 Weeks
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-220-3
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：330W Tc
- Turn Off Delay Time：68 ns
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：170A Tc
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tube
- 系列：HEXFET®
- 已出版：2004
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 电压 - 额定直流：75V
- 额定电流：180A
- 螺纹距离：2.54mm
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：300W
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：29 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：4.5m Ω @ 75A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：7600pF @ 50V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：260nC @ 10V
- 上升时间：120ns
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：74 ns
- 连续放电电流(ID)：180A
- 阈值电压：4V
- JEDEC-95代码：TO-220AB
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：75A
- 漏极-源极导通最大电阻：0.0045Ohm
- 漏源击穿电压：75V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：720A
- 双电源电压：75V
- 栅源电压：4 V
- 宽度：4.826mm
- 高度：4.82mm
- 长度：10.6426mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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