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图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / FQP85N06
- 价格 起订量
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- 型号： FQP85N06
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-220-3
- 描述： Trans MOSFET N-CH 60V 85A 3-Pin(3 Tab) TO-220AB Rail
- 库存地点： 内地
- 库存： 15399
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：5 Weeks
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- 包装/外壳：TO-220-3
- 安装类型：通孔
- 底架：通孔
- 引脚数：3
- 质量：4.535924g
- 晶体管元件材料：SILICON
- Turn Off Delay Time：175 ns
- Power Dissipation (Max)：160W Tc
- Number of Elements：1
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：85A Tc
- 已出版：2013
- 系列：QFET®
- 包装：Tube
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 电阻：10MOhm
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 电压 - 额定直流：60V
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 额定电流：85A
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 资历状况：不合格
- 电压：60V
- 元素配置：Single
- 电流：85A
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：160W
- 接通延迟时间：40 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：10m Ω @ 42.5A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：4120pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：112nC @ 10V
- 上升时间：230ns
- Vgs（最大值）：±25V
- 下降时间（典型值）：170 ns
- 连续放电电流(ID)：85A
- 阈值电压：4V
- JEDEC-95代码：TO-220AB
- 栅极至源极电压(Vgs)：25V
- 漏源击穿电压：60V
- 双电源电压：60V
- 栅源电压：4 V
- 宽度：4.7mm
- 长度：10.1mm
- 高度：9.4mm
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 达到SVHC：无SVHC
- 无铅：无铅
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