简体中文
图片经供参考，以实物为准
单相BJT晶体管 - 预偏置 / RN1441ATE85LF
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
- ￥ 0 10+
- ￥ 0 100+
- ￥ 0 500+
- ￥ 0 1000+
- 型号： RN1441ATE85LF
- 厂商： Toshiba Semiconductor and Storage
- 类别： 单相BJT晶体管 - 预偏置
- 封装： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 描述： Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN Single 300mA IC 20V VCEO
- 库存地点： 内地
- 库存： 15
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 供应商器件包装：S-Mini
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：20V
- Current-Collector (Ic) (Max)：300mA
- hFEMin：200
- 包装：Cut Tape (CT)
- 已出版：2014
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 最大功率耗散：200mW
- 极性：NPN
- 元素配置：Single
- 功率 - 最大：200mW
- 晶体管类型：NPN - Pre-Biased
- 集电极发射器电压(VCEO)：100mV
- 最大集电极电流：300mA
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：200 @ 4mA 2V
- 最大集极截止电流：100nA ICBO
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：100mV @ 3mA, 30mA
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：20V
- 最大击穿电压：20V
- 频率转换：30MHz
- 发射极基极电压 (VEBO)：25V
- 电阻基(R1)：5.6 kOhms
- 连续集电极电流：300mA
- RoHS状态：符合RoHS标准
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
RN1441ATE85LF Toshiba Semiconductor and Storage
BC847BT116 ROHM Semiconductor- SST6838T216 ROHM Semiconductor
- RN1442ATE85LF Toshiba Semiconductor and Storage
KSC3123YMTF ON Semiconductor
