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单相BJT晶体管 / BC847BT116
- 价格 起订量
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- ￥ 1.83662 10+
- ￥ 1.73266 100+
- ￥ 1.63458 500+
- ￥ 1.54206 1000+
- 型号： BC847BT116
- 厂商： ROHM Semiconductor
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 描述： TRANS NPN 45V 0.1A SST3
- 库存地点： 内地
- 库存： 2770
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 1.94681
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：13 Weeks
- 触点镀层：Copper, Silver, Tin
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：45V
- Number of Elements：1
- hFEMin：200
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2005
- JESD-609代码：e1
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- HTS代码：8541.21.00.75
- 电压 - 额定直流：45V
- 最大功率耗散：350mW
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 额定电流：100mA
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：10
- 引脚数量：3
- 元素配置：Single
- 功率耗散：200mW
- 晶体管应用：AMPLIFIER
- 增益带宽积：200MHz
- 极性/通道类型：NPN
- 晶体管类型：NPN
- 集电极发射器电压(VCEO)：45V
- 最大集电极电流：100mA
- 最大集极截止电流：15nA ICBO
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：600mV @ 5mA, 100mA
- 转换频率：200MHz
- 最大击穿电压：45V
- 集电极基极电压(VCBO)：50V
- 发射极基极电压 (VEBO)：6V
- 最小直流增益（hFE）：200
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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