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单MOSFET晶体管 / NDT02N40T1G
- 价格 起订量
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- 型号： NDT02N40T1G
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-261-4, TO-261AA
- 描述： Trans MOSFET N-CH 400V 0.4A 4-Pin SOT-223 T/R
- 库存地点： 内地
- 库存： 60000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)
- 工厂交货时间：24 Weeks
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-261-4, TO-261AA
- 表面安装：YES
- 引脚数：4
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：400mA Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：2W Tc
- Turn Off Delay Time：14 ns
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2013
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：4
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 最高工作温度：150°C
- 最小工作温度：-55°C
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 引脚数量：4
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：5 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：5.5 Ω @ 220mA, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA
- 无卤素：无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：121pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：5.5nC @ 10V
- 上升时间：7ns
- 漏源电压 (Vdss)：400V
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：4 ns
- 连续放电电流(ID)：400mA
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏极-源极导通最大电阻：0.0055Ohm
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：1.6A
- 雪崩能量等级（Eas）：120 mJ
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：符合RoHS标准
- 无铅：无铅
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