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内存模块 / N82S131F
- 价格 起订量
- ¥ 0 1+
- ¥ 0 10+
- ¥ 0 100+
- ¥ 0 500+
- ¥ 0 1000+
- 型号: N82S131F
- 厂商: NXP Semiconductors
- 类别: 内存模块
- 封装: -
- 描述: IC 512 X 4 OTPROM, 50 ns, CDIP16, Programmable ROM
- 库存地点: 内地
- 库存: 暂无库存
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 表面安装:NO
- 质量:0.25 kg
- 终端数量:16
- Equivalent:POS-60
- Melting temperature:183...190 °C
- Flux:-
- Part Life Cycle Code:Obsolete
- Ihs Manufacturer:NXP SEMICONDUCTORS
- Access Time-Max:50 ns
- Number of Words:512 words
- Number of Words Code:512
- Operating Temperature-Max:75 °C
- Package Body Material:CERAMIC, GLASS-SEALED
- Package Code:DIP
- Package Equivalence Code:DIP16,.3
- Package Shape:RECTANGULAR
- Package Style:IN-LINE
- Supply Voltage-Nom (Vsup):5 V
- 包装:reel
- JESD-609代码:e0
- ECCN 代码:EAR99
- 类型:Soft tin-lead solder Sn/Pb
- 端子表面处理:锡铅
- 组成:tin - 60%; lead - 40%
- HTS代码:8542.32.00.71
- 端子位置:DUAL
- 终端形式:THROUGH-HOLE
- 功能数量:1
- 端子间距:2.54 mm
- Reach合规守则:unknown
- JESD-30代码:R-GDIP-T16
- 资历状况:不合格
- 电源电压-最大值(Vsup):5.25 V
- 温度等级:商业扩展
- 电源电压-最小值(Vsup):4.75 V
- 操作模式:ASYNCHRONOUS
- 组织结构:512X4
- 输出特性:3-STATE
- 内存宽度:4
- 记忆密度:2048 bit
- 表格:wire
- 并行/串行:PARALLEL
- 内存IC类型:OTP ROM
- 直径:0.5 mm
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