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内存模块 / NAND512W3A2DZA6E
- 价格 起订量
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- 型号： NAND512W3A2DZA6E
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： 内存模块
- 封装： -
- 描述： 64MX8 FLASH 3V PROM, 12000ns, PBGA63, 8.50 X 15 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, VFBGA-63
- 库存地点： 内地
- 库存： 276
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 表面安装：YES
- 终端数量：63
- Type of enclosure：multipurpose
- Dimension X：122mm
- Dimension Y：2220mm
- Dimension Z：91mm
- Enclosure material：polyester
- Body colour：black
- Enclosure description：glass fiber reinforced
- Conform to the norm：ATEX Ex
- Dimensions：See
- Rohs Code：有
- Part Life Cycle Code：Transferred
- Ihs Manufacturer：STMICROELECTRONICS
- Part Package Code：BGA
- Package Description：8.50 X 15 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, VFBGA-63
- Access Time-Max：12000 ns
- Number of Words：67108864 words
- Number of Words Code：64000000
- Operating Temperature-Max：85 °C
- Operating Temperature-Min：-40 °C
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Package Code：BGA
- Package Shape：RECTANGULAR
- Package Style：网格排列
- Supply Voltage-Nom (Vsup)：3 V
- ECCN 代码：EAR99
- 类型：SLC NAND类型
- HTS代码：8542.32.00.51
- 端子位置：BOTTOM
- 终端形式：BALL
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 功能数量：1
- Reach合规守则：compliant
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 引脚数量：63
- JESD-30代码：R-PBGA-B63
- 资历状况：不合格
- 电源电压-最大值(Vsup)：3.6 V
- 温度等级：INDUSTRIAL
- 电源电压-最小值(Vsup)：2.7 V
- 操作模式：ASYNCHRONOUS
- 组织结构：64MX8
- 内存宽度：8
- 记忆密度：536870912 bit
- 并行/串行：PARALLEL
- 内存IC类型：FLASH
- 编程电压：3 V
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