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内存模块 / AT45DB021E-SSHN-T
- 价格 起订量
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- 型号： AT45DB021E-SSHN-T
- 厂商： Dialog Semiconductor GmbH
- 类别： 内存模块
- 封装： -
- 描述： Flash, 2MX1, PDSO8,
- 库存地点： 内地
- 库存： 80000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 表面安装：YES
- 终端数量：8
- Type of mounting element：clasp
- Holding force：1600N
- Rohs Code：有
- Part Life Cycle Code：Transferred
- Ihs Manufacturer：DIALOG SEMICONDUCTOR GMBH
- Clock Frequency-Max (fCLK)：70 MHz
- Number of Words：2097152 words
- Number of Words Code：2000000
- Operating Temperature-Max：85 °C
- Operating Temperature-Min：-40 °C
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Package Code：SOP
- Package Equivalence Code：SOP8,.25
- Package Shape：RECTANGULAR
- Package Style：小概要
- Supply Voltage-Nom (Vsup)：1.8 V
- JESD-609代码：e4
- ECCN 代码：EAR99
- 类型：NOR型号
- 端子表面处理：镍钯金
- HTS代码：8542.32.00.51
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 功能数量：1
- 端子间距：1.27 mm
- Reach合规守则：compliant
- JESD-30代码：R-PDSO-G8
- 资历状况：不合格
- 电源电压-最大值(Vsup)：3.6 V
- 温度等级：INDUSTRIAL
- 电源电压-最小值(Vsup)：1.65 V
- 操作模式：SYNCHRONOUS
- 电源电流-最大值：0.016 mA
- 组织结构：2MX1
- 座位高度-最大：1.75 mm
- 内存宽度：1
- 待机电流-最大值：0.000008 A
- 记忆密度：2097152 bit
- 并行/串行：SERIAL
- 内存IC类型：FLASH
- 编程电压：2.7 V
- 串行总线类型：SPI
- 耐力：100000 Write/Erase Cycles
- 数据保持时间：20
- 写入保护：HARDWARE/SOFTWARE
- 饱和电流：1
- 长度：4.925 mm
- 宽度：3.9 mm
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