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单MOSFET晶体管 / 2SJ656
- 价格 起订量
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- 型号： 2SJ656
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-220-3 Full Pack
- 描述： MOSFET P-CH 100V 18A TO-220ML
- 库存地点： 内地
- 库存： 22800
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-220-3 Full Pack
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：18A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：2W Ta 30W Tc
- Turn Off Delay Time：340 ns
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Bulk
- 已出版：2004
- 无铅代码：yes
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- 终端：通孔
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin/Copper/Silver/Nickel (Sn/Cu/Ag/Ni)
- HTS代码：8541.29.00.95
- 引脚数量：3
- 元素配置：Single
- 操作模式：DEPLETION MODE
- 功率耗散：2W
- 箱体转运：ISOLATED
- 接通延迟时间：30 ns
- 场效应管类型：P-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：75.5m Ω @ 9A, 10V
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：4200pF @ 20V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：74nC @ 10V
- 上升时间：110ns
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：125 ns
- 连续放电电流(ID)：18A
- JEDEC-95代码：TO-220AB
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏极-源极导通最大电阻：0.104Ohm
- 漏源击穿电压：-100V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：72A
- 双电源电压：100V
- 栅源电压：2.6 V
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：符合RoHS标准
- 无铅：无铅
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