简体中文
图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / FQA7N80
- 价格 起订量
- ￥ 10.55199 1+
- ￥ 9.95471 10+
- ￥ 9.39124 100+
- ￥ 8.85966 500+
- ￥ 8.35817 1000+
- 型号： FQA7N80
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-3P-3, SC-65-3
- 描述： MOSFET N-CH 800V 7.2A TO-3P
- 库存地点： 内地
- 库存： 742
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 10.55199
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-3P-3, SC-65-3
- 表面安装：NO
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：7.2A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：198W Tc
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tube
- 系列：QFET®
- 已出版：2007
- 无铅代码：yes
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- 端子位置：SINGLE
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- Reach合规守则：compliant
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- JESD-30代码：R-PSFM-T3
- 资历状况：不合格
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：1.5 Ω @ 3.6A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1850pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：52nC @ 10V
- 漏源电压 (Vdss)：800V
- Vgs（最大值）：±30V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：7A
- 漏极-源极导通最大电阻：1.9Ohm
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：28A
- DS 击穿电压-最小值：800V
- 雪崩能量等级（Eas）：580 mJ
相关产品
