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单MOSFET晶体管 / 2N6796U
- 价格 起订量
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- 型号： 2N6796U
- 厂商： MICROCHIP(美国微芯)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装：
- 描述： MOSFET N-CH 100V 8A 18ULCC
- 库存地点： 内地
- 库存： 1
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 表面安装：YES
- 终端数量：15
- 晶体管元件材料：SILICON
- Maximum Clock Rate：166 MHz
- Supplier Package：TSOP-II
- Number of I/O Lines：16 Bit
- Mounting：表面贴装
- Package Description：CERAMIC, LCC-16
- Package Style：CHIP CARRIER
- Package Body Material：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
- Rohs Code：无
- Manufacturer Part Number：2N6796U
- Package Shape：RECTANGULAR
- Manufacturer：Microsemi Corporation
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：Obsolete
- Ihs Manufacturer：MICROSEMI CORP
- Risk Rank：5.69
- Part Package Code：LCC
- Drain Current-Max (ID)：8 A
- Usage Level：Industrial grade
- 操作温度：-40 to 85 °C
- ECCN 代码：EAR99
- 类型：SDRAM
- 端子位置：QUAD
- 终端形式：无铅
- Reach合规守则：unknown
- 引脚数量：50
- JESD-30代码：R-CQCC-N15
- 资历状况：不合格
- 工作电源电压：3.3000 V
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 数据总线宽度：16 Bit
- 组织结构：1M x 16
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 地址总线宽度：12 Bit
- 密度：16 Mbit
- 漏极-源极导通最大电阻：0.195 Ω
- 筛选水平：Industrial
- DS 击穿电压-最小值：100 V
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 库存数量：2
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