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单MOSFET晶体管 / 2SK192A-GR
- 价格 起订量
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- 型号： 2SK192A-GR
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装：
- 描述：
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 表面安装：NO
- 终端数量：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Mounting：通孔
- Resistance @ 25C：10 kOhm
- Maximum Power Rating：0.03 W
- Thermal Time Constant：5 s
- Description of Terminals：0.1mm dia. Straight Lead
- Sensitivity Index：3969 K
- Package Description：IN-LINE, R-PSIP-T3
- Package Style：IN-LINE
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Operating Temperature-Max：125 °C
- Manufacturer Part Number：2SK192A-GR
- Package Shape：RECTANGULAR
- Manufacturer：东芝美国电子元器件
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：Obsolete
- Ihs Manufacturer：TOSHIBA CORP
- Risk Rank：5.8
- Usage Level：Commercial grade
- 操作温度：0 to 70 °C
- JESD-609代码：e0
- 类型：NTC
- 端子表面处理：锡铅
- HTS代码：8541.21.00.95
- 子类别：其他晶体管
- 端子位置：SINGLE
- 终端形式：THROUGH-HOLE
- Reach合规守则：unknown
- 引脚数量：2
- JESD-30代码：R-PSIP-T3
- 资历状况：不合格
- 配置：SINGLE
- 操作模式：DEPLETION MODE
- 晶体管应用：AMPLIFIER
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 筛选水平：Commercial
- 场效应管技术：JUNCTION
- 最大耗散功率(Abs)：0.2 W
- 反馈上限-最大值 (Crss)：0.65 pF
- 最高频段：甚高频段
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