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单MOSFET晶体管 / 2SK3114-AZ
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
- ￥ 0 10+
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- 型号： 2SK3114-AZ
- 厂商： RENESAS(瑞萨/IDT)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装：
- 描述：
- 库存地点： 内地
- 库存： 5000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
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银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 表面安装：NO
- 终端数量：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Package Description：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
- Package Style：FLANGE MOUNT
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Reflow Temperature-Max (s)：未说明
- Manufacturer Part Number：2SK3114-AZ
- Package Shape：RECTANGULAR
- Manufacturer：NEC Electronics Group
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：Transferred
- Ihs Manufacturer：NEC ELECTRONICS CORP
- Risk Rank：7.82
- Part Package Code：SFM
- Drain Current-Max (ID)：4 A
- 温度系数：50 ppm/°C
- 电阻：9.09 kOhm
- HTS代码：8541.29.00.95
- 额定功率：0.25 W
- 端子位置：SINGLE
- 终端形式：THROUGH-HOLE
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 电阻器类型：高可靠性
- Reach合规守则：unknown
- 引脚数量：3
- JESD-30代码：R-PSFM-T3
- 资历状况：不合格
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 箱体转运：ISOLATED
- 晶体管应用：SWITCHING
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 漏极-源极导通最大电阻：2.2 Ω
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：16 A
- DS 击穿电压-最小值：600 V
- 雪崩能量等级（Eas）：10.7 mJ
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 电阻公差：0.1
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