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单片IGBT晶体管 / APT68GA60B2D40
- 价格 起订量
- ¥ 0 1+
- ¥ 0 10+
- ¥ 0 100+
- ¥ 0 500+
- ¥ 0 1000+
- 型号: APT68GA60B2D40
- 厂商: MICROCHIP(美国微芯)
- 类别: 单片IGBT晶体管
- 封装: TO-247-3 Variant
- 描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 121A 3-Pin TO-247
- 库存地点: 内地
- 库存: 20
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态:Production (Last Updated: 2 months ago)
- 安装类型:通孔
- 包装/外壳:TO-247-3 Variant
- 底架:通孔
- 引脚数:3
- Collector-Emitter Saturation Voltage:2
- Package:Tube
- Current-Collector (Ic) (Max):121 A
- Base Product Number:APT68GA60
- 厂商:微芯片技术
- Product Status:活跃
- Test Conditions:400V, 40A, 4.7Ohm, 15V
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity:1
- Manufacturer:Microchip
- Brand:微芯片技术
- RoHS:Details
- Collector-Emitter Breakdown Voltage:600 V
- 操作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 系列:POWER MOS 8™
- 包装:Tube
- 最高工作温度:150 °C
- 最小工作温度:-55 °C
- 子类别:IGBTs
- 最大功率耗散:520 W
- 技术:Si
- 元素配置:Single
- 功率耗散:520
- 输入类型:Standard
- 功率 - 最大:520 W
- 产品类别:IGBT晶体管
- 集电极发射器电压(VCEO):2.5 V
- 最大集电极电流:121 A
- 电压 - 集射极击穿(最大值):600 V
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.5V @ 15V, 40A
- 连续集电极电流:121
- IGBT类型:PT
- 闸门收费:198 nC
- 集极脉冲电流(Icm):202 A
- Td(开/关)@25°C:21ns/133ns
- 开关能量:715µJ (on), 607µJ (off)
- 产品类别:IGBT晶体管
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