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单片IGBT晶体管 / IRG4BC20WPBF

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  • 型号: IRG4BC20WPBF
  • 厂商: International Rectifier
  • 类别: 单片IGBT晶体管
  • 封装:
  • 描述: Description: Insulated Gate Bipolar Transistor, 13A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, LEAD FREE PACKAGE-3
  • 库存地点: 内地
  • 库存: 暂无库存
  • 货期: 1 - 3 个工作日
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包装流程

  • 1.产品检查
  • 2.塑料封装
  • 3.防静电保护
  • 4.包装入箱
  • 5.贴条形码
  • 6.出库运输
产品属性 产品问答
  • 属性参考值
  • 表面安装:NO
  • 终端数量:3
  • 晶体管元件材料:SILICON
  • 外壳材料:1
  • Rohs Code:
  • Part Life Cycle Code:Transferred
  • Ihs Manufacturer:INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
  • Part Package Code:TO-220AB
  • Package Description:LEAD FREE PACKAGE-3
  • Operating Temperature-Max:150 °C
  • Package Body Material:PLASTIC/EPOXY
  • Package Shape:RECTANGULAR
  • Package Style:FLANGE MOUNT
  • Turn-off Time-Nom (toff):300 ns
  • Turn-on Time-Nom (ton):36 ns
  • JESD-609代码:e3
  • 无铅代码:
  • ECCN 代码:EAR99
  • 端子表面处理:镍外哑光锡
  • 附加功能:低导通损耗
  • 端子位置:SINGLE
  • 终端形式:THROUGH-HOLE
  • Reach合规守则:compliant
  • 引脚数量:3
  • JESD-30代码:R-PSFM-T3
  • 资历状况:不合格
  • 配置:SINGLE
  • 箱体转运:COLLECTOR
  • 晶体管应用:MOTOR CONTROL
  • 极性/通道类型:N-CHANNEL
  • JEDEC-95代码:TO-220AB
  • 最大耗散功率(Abs):60 W
  • 集电极电流-最大值(IC):13 A
  • 集电极-发射器电压-最大值:600 V
  • 栅极-发射极电压-最大值:20 V
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值:6 V
  • 最大下降时间 (tf):96 ns

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