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单片IGBT晶体管 / F3L400R07W3S5_B59
- 价格 起订量
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- 型号： F3L400R07W3S5_B59
- 厂商： Infineon Technologies AG
- 类别： 单片IGBT晶体管
- 封装：
- 描述： Description: Insulated Gate Bipolar Transistor, 130A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-14
- 库存地点： 内地
- 库存： 128
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 表面安装：NO
- 终端数量：14
- 晶体管元件材料：SILICON
- 外壳材料：6
- Part Life Cycle Code：活跃
- Ihs Manufacturer：INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Package Description：MODULE-14
- Operating Temperature-Max：150 °C
- Operating Temperature-Min：-40 °C
- Package Body Material：UNSPECIFIED
- Package Shape：RECTANGULAR
- Package Style：FLANGE MOUNT
- Turn-off Time-Nom (toff)：161 ns
- Turn-on Time-Nom (ton)：35 ns
- ECCN 代码：EAR99
- 端子位置：UPPER
- 终端形式：UNSPECIFIED
- Reach合规守则：compliant
- 参考标准：IEC-60747; IEC-60749; IEC-60068; IEC-61140
- JESD-30代码：R-XUFM-X14
- 配置：COMPLEX
- 箱体转运：ISOLATED
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 集电极电流-最大值(IC)：130 A
- 集电极-发射器电压-最大值：650 V
- 栅极-发射极电压-最大值：20 V
- VCEsat-最大值：1.5 V
- 栅极-发射极Thr电压-最大值：4.75 V
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